ku111net议时间：2022年4月20日（周三）14:00—16:00
参ku111net人员：光电工程学院科研团队全体教师，并欢迎广大师生参加。
ku111net议形式：腾讯ku111net议：128-314-813
ku111net议简介：
报告1：脱合金化制备永磁纳米多孔材料及其性能研究
报告人：马殿国
报告时间：14:00-15:00
内容简介：纳米多孔金属（Nanoporous metals, NPMs）是由三维双连续的纳米孔隙和金属韧带组成的新型功能材料。这类材料结合了高比表面积和纳米金属特有的物理和化学性质，显示出优异的催化、光学等功能特性。软磁性纳米多孔金属在磁分离、药物输运等生物技术领域具有潜在应用，而永磁性纳米多孔金属既可作为吸附、过滤材料用于流体环境中重金属磁性元素的分拣和过滤，也可用于制备磁性纳米复合材料。因此，制备永磁性纳米多孔合金并研究它们的结构与性能具有重要意义。
报告2：Hf离子掺杂对ZTO TFTs的缺陷态抑制及稳定性的提升研究
报告人：黄传鑫
报告时间：15:00-16:00
内容简介：氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）因具有较高的光透过率和场效应迁移率、较低的制备温度和大面积均匀等优点，在大尺寸高清平板显示及互补性金属氧化物半导体（CMOS）电路方面具有广泛的应用前景。当前，稳定性问题已经成为制约氧化物TFT商业化应用的瓶颈技术难题，而缺陷态问题是影响TFT稳定性的主要因素。因此本研究采用双靶磁控共溅射系统制备了新材料HZTO薄膜。研究了Hf掺杂量对HZTO薄膜结构，表面形貌，化学组成，光学和电学性能的影响。另外，我们制备了基于ALD Al2O3绝缘层的HZTO-TFT。随着Hf掺杂量的增加，Al2O3绝缘层和HZTO薄膜之间的界面缺陷态密度变少。而且，Hf掺杂量对TFT的电学性质和偏压稳定性有重要影响。虽然迁移率随着Hf掺杂量的增加而降低，但稳定性明显提高，本研究为氧化物TFT稳定性的提升提供了新的方向。
光电工程学院
2022年4月20日
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